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彭桓武科教合作中心量子论坛第三百一十二讲:碳化硅功率芯片关键技术与产业化

日期:2023-12-12 16:22浏览数:

报告题目:碳化硅功率芯片关键技术与产业化

报  告 人:李京波 求是特聘教授(国家杰青),浙江大学

研究方向:半导体掺杂机制、光电材料与器件、二维半导体器件

报告时间:2023年12月14日(星期四)上午10:00

报告地点:量子楼410

报告摘要:

碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。相比传统的硅材料,碳化硅的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍;是最有应用前景的第三代半导体材料。碳化硅功率器件被广泛应用在电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通及智能电网领域,随着5G,新能源汽车,光伏发电和轨道交通的发展,碳化硅器件市场规模将快速增长。本报告,主要向大家介绍碳化硅外延生长、MOSFET功率芯片生产中所面临的一些关键技术问题,以及碳化硅产业在商业化发展的过程中面临的机遇与挑战。

报告人简介:

浙江大学求是特聘教授、博士生导师。2009年获国家自然杰出青年基金、2015年入选中组部“万人计划”,2017年获国家自然科学二等奖(排名第一)、安徽省科技进步一等奖(排名第一)、江西省自然科学一等奖(排名第一),“西湖明珠顶尖人才计划”团队带头人;在Nature、Nature Materials等国际著名期刊发表SCI论文370余篇,SCI他引超过2.5万次,入选2017-2022科睿唯安高被引学者榜单;获授权发明专利60余项,科技成果转化超20亿元。主要研究方向为半导体掺杂机制、光电材料与器件、二维半导体器件等。

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