报告题目：碳化硅功率芯片关键技术与产业化
报 告 人：李京波 求是特聘教授（国家杰青），浙江大学
研究方向：半导体掺杂机制、光电材料与器件、二维半导体器件
报告时间：2023年12月14日（星期四）上午10:00
报告地点：量子楼410
报告摘要：
碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。相比传统的硅材料，碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍；是最有应用前景的第三代半导体材料。碳化硅功率器件被广泛应用在电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通及智能电网领域，随着5G，新能源汽车，光伏发电和轨道交通的发展，碳化硅器件市场规模将快速增长。本报告，主要向大家介绍碳化硅外延生长、MOSFET功率芯片生产中所面临的一些关键技术问题，以及碳化硅产业在商业化发展的过程中面临的机遇与挑战。
报告人简介：
浙江大学求是特聘教授、博士生导师。2009年获国家自然杰出青年基金、2015年入选中组部“万人计划”，2017年获国家自然科学二等奖（排名第一）、安徽省科技进步一等奖（排名第一）、江西省自然科学一等奖（排名第一），“西湖明珠顶尖人才计划”团队带头人；在Nature、Nature Materials等国际著名期刊发表SCI论文370余篇，SCI他引超过2.5万次,入选2017-2022科睿唯安高被引学者榜单；获授权发明专利60余项，科技成果转化超20亿元。主要研究方向为半导体掺杂机制、光电材料与器件、二维半导体器件等。
